Публикации

17-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»(КрыМиКо’2007). Севастополь , 10-14 сентября 2007г.: Материалы конф. В 2т. – Севастополь: Вебер, 2007. – ISBN 978-966-335-014-1.

Защитное устройство на основе диодов Шоттки С- и Х- диапазонов.(Осипов А.М.) 96-97с.Скачать
Разработка монолитных малошумящих усилителей L — и S – диапазона. (Семенова Л.М., Осипов А.М.) 95-96c.Скачать

18-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2008). Севастополь, 8-12 сентября 2008г.: Материалы конф. В 2т. – Севастополь: Вебер, 2008

Низкобарьерные диоды шоттки в технологии изготовления защитных устройств. (Егорова Е.И., Козловский Э.Ю.)Скачать
Диагностика гетероэпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs/GaAs С использованием методики селективного травления. (Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И.)Скачать
Разработка малошумящих усилителей L-, S- И С- диапазона. (Платонов С.В., Осипов А.М.)Скачать
Пятиразрядный СВЧ аттенюатор на арсениде галлия для диапазона 5-6 ГГц (Осипов А.М., Семенова Л.М.)Скачать

7-я научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Москва, 7-8 октября 2008г.:Материалы конф.:МНТОРЭС им. А.С.Попова,2008.-188с.

Перспективы развития электронных компонентов на основе производства арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов. (Вахренев Г.В., Галушко В.С., Дмитриев В.А., Осипов А.М.)12-13с.Скачать
Широкополосные малошумящие усилители мощности диапазона частот 1-9 ГГц. (Осипов А.М., Платонов С.В.)95-97с.Скачать
СВЧ арсенидгаллиевый пятиразрядный аттенюаттор. (Осипов А.М., Семенова Л.М., Радченко В.В.)99-100с.Скачать
Усилитель, ограничитель и транзистор на GaAs в корпусах для поверхностного монтажа. (Штейнгарт А.П.)101с.Скачать

Третья общероссийская конференция «Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем (СВЧ-2010) », Омск , октябрь 2010г. Сборник докладов научно-технической конференции.

Новая СВЧ ЭКБ на арсениде галлия (Лерман З.М.) 122-125 с.Скачать

Компоненты и технологии. 2011. №6. 16-18 с.

Отечественные СВЧ комплектующие на арсениде галлия. (Дмитриев В.А.)Скачать